根據專利說明書，開用刻機該發明提供一種用于EUV光刻的光刻光成構反光掩曝光成像結構、反射式光掩模版組及投影式光刻機，像結曝光成像結構包括第一反射式光掩模版和第二反射式光掩模版，射式式光曝光光線經第一反射式光掩模版后，模版將帶有第一反射式光掩模版的組及專利義烏美女上門預約（電話微信180-4582-8235）提供頂級外圍女上門，可滿足你的一切要求圖形信息的反射光經反射裝置反射至第二反射式光掩模版，使得從第二反射式光掩模版反射的傳芯光線同時包含第一反射式掩模圖形和第二反射式掩模圖形的組合投影圖案，以通過組合投影圖案在晶圓上實現一次性曝光。半導
說明書介紹，體公投影這一專利曝光成像結構由于第一反射式掩模圖形與第二反射式掩模圖形被物理分離，開用刻機可以使得相鄰掩模圖形邊緣沒有光相互作用（如散射、光刻光成構反光掩反射或表面等離子體激元效應SPP等），像結可以有效消除臨近圖形所造成的晶圓上的圖案缺陷，光刻工藝的分辨率和對比度得到較大的提升，晶圓上的圖案缺陷（如圓角、關鍵尺寸（CD）減少和端部內縮等）得到顯著改善，同時采用一次性曝光便可在晶圓上獲得完整的圖案，光刻工藝的過程也得到簡化。
針對EUV光源，說明書中給出的實施例顯示，所述光源結構包括等離子體光源，由氣體或蒸氣產生，例如氙氣、鋰蒸氣或錫蒸氣，通過30千瓦功率的二氧化碳激光器每秒2次轟擊霧化的錫（Sn）金屬液滴（其中，錫金屬液滴以每秒50000滴的速度從噴嘴內噴出），將錫（Sn）蒸發成等離子體，通過高價錫離子能級間的躍遷獲得13.5nm波長的EUV光線。