三星3nm制程有可能先于臺(tái)積電投產(chǎn),力圖彎道超車
時(shí)間:2025-11-23 16:32:13 來(lái)源:骨軟筋酥網(wǎng)
據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》5 月 2 日轉(zhuǎn)引外媒披露,星n先于三星在對(duì)投資人釋出的程有產(chǎn)力車最新簡(jiǎn)報(bào)中透露,旗下 3nm 制程將在未來(lái)幾周內(nèi)開(kāi)始投產(chǎn),臺(tái)積圖彎無(wú)錫外圍(無(wú)錫外圍女)外圍上門(電話微信189-4469-7302)提供頂級(jí)外圍女上門,伴游,空姐,網(wǎng)紅,明星,車模等優(yōu)質(zhì)資源,可滿足你的一切要求進(jìn)度比臺(tái)積電更快,電投道超力圖彎道超車,星n先于正式引爆今年臺(tái)積電與三星最先進(jìn)的程有產(chǎn)力車制程競(jìng)爭(zhēng)激戰(zhàn)。
臺(tái)積電向來(lái)不對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手置評(píng)。臺(tái)積圖彎臺(tái)積電先前于法說(shuō)會(huì)上指出,電投道超采用 FinFET 架構(gòu)的星n先于無(wú)錫外圍(無(wú)錫外圍女)外圍上門(電話微信189-4469-7302)提供頂級(jí)外圍女上門,伴游,空姐,網(wǎng)紅,明星,車模等優(yōu)質(zhì)資源,可滿足你的一切要求 3nm 依原規(guī)畫(huà)在下半年量產(chǎn),將是程有產(chǎn)力車“下個(gè)大成長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)”。

業(yè)界人士分析,臺(tái)積圖彎三星雖然宣稱 3nm 邁入量產(chǎn)倒數(shù)計(jì)時(shí),電投道超但從晶體管密度、星n先于效能等層面分析,程有產(chǎn)力車三星的臺(tái)積圖彎 3nm 與應(yīng)與臺(tái)積電 5nm 家族的 4nm,以及英特爾的 Intel 4 制程相當(dāng)。
據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》分析,三星以“3nm”為最新制程進(jìn)度命名,表面上贏了面子,但在晶體管密度、效能等都還是落后臺(tái)積電,“實(shí)際上還是輸了里子”。
TechSpot 等外媒報(bào)導(dǎo),三星向投資人簡(jiǎn)報(bào)表示,正全力準(zhǔn)備讓 GAA 架構(gòu)的 3nm 制程在今年上半年進(jìn)入投產(chǎn)階段,也就是在未來(lái)八周內(nèi)啟動(dòng)量產(chǎn)程序,意味 3nm 量產(chǎn)倒數(shù)計(jì)時(shí)。
三星表示,相較于目前旗下 7nm FinFET 架構(gòu)制程,新的 3nm 制程所生產(chǎn)的芯片,可以在 0.75 伏特以下的低電壓環(huán)境工作,使整體耗電量降低 50%,效能提升 30%,芯片體積減少 45%。
分析師指出,三星的 3nm 制程所能達(dá)到的晶體管密度,最終可能與英特爾的制程 4 或者臺(tái)積電的 nm 米家族當(dāng)中的 4nm 相當(dāng),但是頻寬與漏電控制表現(xiàn)會(huì)更好,帶來(lái)更優(yōu)異的效能。
但目前無(wú)法得知的最大變量,是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力發(fā)展的 4nm 制程就因良率太低,導(dǎo)致主要客戶大幅轉(zhuǎn)單臺(tái)積電。業(yè)界傳出,目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭,但未獲三星證實(shí)。
另一方面,三星也未透露采用其 3nm 制程的客戶。相較之下,臺(tái)積電總裁魏哲家先前已于法說(shuō)會(huì)上透露,旗下 3nm 應(yīng)用有諸多客戶參與,預(yù)計(jì)首年相較 5nm 與 7nm,會(huì)有更多新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。
業(yè)界認(rèn)為,蘋(píng)果、AMD、英偉達(dá)、高通、英特爾、聯(lián)發(fā)科等大廠,都會(huì)是臺(tái)積電 3nm 量產(chǎn)初期的主要客戶,應(yīng)用范圍涵蓋高速運(yùn)算、智慧手機(jī)等領(lǐng)域。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào),3nm 今年下半年量產(chǎn)之后,在 PPA(效能、功耗及面積)及晶體管技術(shù)都將領(lǐng)先,且有良好的良率,有信心 3nm 會(huì)持續(xù)贏得客戶信賴。
另外,臺(tái)積電也已著手進(jìn)行更先進(jìn)的 2nm 布局,預(yù)期 2024 年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),目標(biāo) 2025 年量產(chǎn),看好 2nm 將是業(yè)界最領(lǐng)先,且是支持客戶成長(zhǎng)最適合的技術(shù)。
臺(tái)積電向來(lái)不對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手置評(píng)。臺(tái)積圖彎臺(tái)積電先前于法說(shuō)會(huì)上指出,電投道超采用 FinFET 架構(gòu)的星n先于無(wú)錫外圍(無(wú)錫外圍女)外圍上門(電話微信189-4469-7302)提供頂級(jí)外圍女上門,伴游,空姐,網(wǎng)紅,明星,車模等優(yōu)質(zhì)資源,可滿足你的一切要求 3nm 依原規(guī)畫(huà)在下半年量產(chǎn),將是程有產(chǎn)力車“下個(gè)大成長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)”。

業(yè)界人士分析,臺(tái)積圖彎三星雖然宣稱 3nm 邁入量產(chǎn)倒數(shù)計(jì)時(shí),電投道超但從晶體管密度、星n先于效能等層面分析,程有產(chǎn)力車三星的臺(tái)積圖彎 3nm 與應(yīng)與臺(tái)積電 5nm 家族的 4nm,以及英特爾的 Intel 4 制程相當(dāng)。
據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》分析,三星以“3nm”為最新制程進(jìn)度命名,表面上贏了面子,但在晶體管密度、效能等都還是落后臺(tái)積電,“實(shí)際上還是輸了里子”。
TechSpot 等外媒報(bào)導(dǎo),三星向投資人簡(jiǎn)報(bào)表示,正全力準(zhǔn)備讓 GAA 架構(gòu)的 3nm 制程在今年上半年進(jìn)入投產(chǎn)階段,也就是在未來(lái)八周內(nèi)啟動(dòng)量產(chǎn)程序,意味 3nm 量產(chǎn)倒數(shù)計(jì)時(shí)。
三星表示,相較于目前旗下 7nm FinFET 架構(gòu)制程,新的 3nm 制程所生產(chǎn)的芯片,可以在 0.75 伏特以下的低電壓環(huán)境工作,使整體耗電量降低 50%,效能提升 30%,芯片體積減少 45%。
分析師指出,三星的 3nm 制程所能達(dá)到的晶體管密度,最終可能與英特爾的制程 4 或者臺(tái)積電的 nm 米家族當(dāng)中的 4nm 相當(dāng),但是頻寬與漏電控制表現(xiàn)會(huì)更好,帶來(lái)更優(yōu)異的效能。
但目前無(wú)法得知的最大變量,是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力發(fā)展的 4nm 制程就因良率太低,導(dǎo)致主要客戶大幅轉(zhuǎn)單臺(tái)積電。業(yè)界傳出,目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭,但未獲三星證實(shí)。
另一方面,三星也未透露采用其 3nm 制程的客戶。相較之下,臺(tái)積電總裁魏哲家先前已于法說(shuō)會(huì)上透露,旗下 3nm 應(yīng)用有諸多客戶參與,預(yù)計(jì)首年相較 5nm 與 7nm,會(huì)有更多新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。
業(yè)界認(rèn)為,蘋(píng)果、AMD、英偉達(dá)、高通、英特爾、聯(lián)發(fā)科等大廠,都會(huì)是臺(tái)積電 3nm 量產(chǎn)初期的主要客戶,應(yīng)用范圍涵蓋高速運(yùn)算、智慧手機(jī)等領(lǐng)域。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào),3nm 今年下半年量產(chǎn)之后,在 PPA(效能、功耗及面積)及晶體管技術(shù)都將領(lǐng)先,且有良好的良率,有信心 3nm 會(huì)持續(xù)贏得客戶信賴。
另外,臺(tái)積電也已著手進(jìn)行更先進(jìn)的 2nm 布局,預(yù)期 2024 年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),目標(biāo) 2025 年量產(chǎn),看好 2nm 將是業(yè)界最領(lǐng)先,且是支持客戶成長(zhǎng)最適合的技術(shù)。
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